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AOD11S60中文资料

AOD11S60图片

AOD11S60外观图

  • 大小：395KB
  • 厂家：
  • 描述：MOSFET N-CH 600V 11A TO252
  • 标准包装：1
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：aMOS™
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)：600V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：11A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：399 毫欧 @ 3.8A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：4.1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：11nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：545pF @ 100V
  • 功率 - 最大：208W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
  • 供应商设备封装：TO-252，（D-Pak）
  • 包装：Digi-Reel?
  • 其它名称：785-1264-6

AOD11S60供应商

更新时间:2023-01-10 05:54:43
批量询价 所在地：全国北京上海深圳浙江江苏广东山东广州汕头陕西
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